Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 31 záznamů.  1 - 10dalšíkonec  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Aplikace grafénové membrány v nanoelektronických zařízeních
Kormoš, Lukáš ; Drbohlavová, Jana (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
Táto diplomová práca je zameraná na aplikácie a výrobu grafénovej membrány z grafénu vyrobeného pomocov chemickej depozície z plynnej fáze. Teoretická časť sa zaoberá transportnými vlastnosťami grafénu a viacerými rozptylovými procesmi, ktoré obmedzujú pohyblivosť nosičov náboja v tomto materiáli. Súčasťou teoretickej časti je krátka recenzia aplikácií grafénových membrán. Experimentálna časť prezentuje výrobný proces pre dosiahnutie zaveseného grafenového zariadenia s využitím elektrónové litografie, fokusovaného zväzku iónov, chemického leptania a tvarovanie grafenovej vrstvy. Grafénová membrána je charakterizovaná meraním transportných vlastností a tieto sú následne porovnané s grafénom položeným na substráte.
The preparation and characterisation of electrical properties of graphene CVD monocrystals
Hulva, Jan ; Rezek, Bohuslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Chemical Vapor Deposition (CVD) of graphene is the method of graphene synthesis capable of producing predominantly single layer graphene of large area. Part of the experimental work of this thesis is focused on the deposition and analysis of single-crystalline graphene domains grown by CVD on a copper foil. These domains are analyzed by the optical microscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy and Raman spectroscopy. The next part of the work was devoted to iden- tification of defects present on the Cu foil after the deposition of graphene by means of energy dispersive X-ray spectroscopy. The amount of the defects was reduced by the adjustment of the deposition system although not all types of the defects were completely removed. Electronic transport properties of deposited graphene layers were performed in the last part. The results contain measurement of graphene in vacuum with applied back gate voltage and low temperature measurement with applied magnetic field.
Příprava 2D materiálů v ultravakuovém elektronovém mikroskopu
Dymáček, Michal ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato práce je věnována přípravě vícevrstvého grafenu a h-BN pomocí metody CVD. V teoretické části této práce jsou představeny oba materiály, metoda CVD a SEM. V experimentální části je popsána aparatura a příprava vzorků, dále programy, které v rámci této práce vznikly, sloužící k analýze pořízených snímků, a provedené experimenty. Pro růst vícevrstvého grefenu byla pomocí in-situ analýzy v UHV-SEM hledána odpověď na otázku, jakým způsoben zrna vícevrstvého grafenu vznikají. Byly také provedeny první experimenty přípravy h-BN.
Syntéza polymerů s nízkou hustotou zesítění pomocí plazmové polymerace
Kuchtová, Štěpánka ; Bránecký, Martin (oponent) ; Čech, Vladimír (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá plazmochemickou depozicí z plynné fáze (PECVD), konkrétně plazmovou polymerací, která byla použita pro syntézu tenkých polymerních vrstev s nízkou hustotu zesítění. Organokřemičité tenké vrstvy byly nanášeny na křemíkový substrát vysokofrekvenčním (RF) kapacitně vázaným plazmatem v depoziční komoře. Ke stanovení tloušťky vrstvy a jejích optických vlastností byla použita spektroskopická elipsometrie. Chemická struktura vrstev byla zkoumána prostřednictvím infračervené spektroskopie s Fourierovou transformací a mechanické vlastnosti byly zkoumány nanoindentací. V souvislosti se snahou o dosažení nízké hustoty zesítění materiálu byl zkoumán vliv výkonu a self-biasu (USB) na chemickou strukturu, mechanické a optické vlastnosti připravených vrstev, které s hustotou zesítění souvisejí. Nízko zesítěné plazmové polymery se podařilo syntetizovat při self-biasu na úrovni 1 V, který odpovídá přibližně RF výkonu 0,1 W. Tento materiál lze charakterizovat hustotou 1,2 g·cm-3, modulem pružnosti 4 GPa, tvrdostí 0,04 GPa a indexem lomu 1,53 při 633 nm (vlnová délka He-Ne laseru). Infračervená spektroskopie potvrdila, že tento plazmový polymer je tvořen uhlíkovou sítí s menším množstvím zabudovaných křemíkových atomů, a především nejvyšší koncentrací vinylových skupin ve srovnání s plazmovými polymery připravenými při vyšších výkonech.
Optimalizace růstu grafenu na kovových substrátech v rastrovacím elektronovém mikroskopu
Mahel, Vojtěch ; Procházka, Pavel (oponent) ; Bukvišová, Kristýna (vedoucí práce)
Cílem bakalářské práce je seznámit se s přípravou grafenu pomocí chemické depozice z plynnéfáze a vytvořit vlastní grafen v komoře rastrovacího elektronového mikroskopu. Při této reakci dochází k nehomogenní nukleaci a tvorbě hranic zrn zhoršujících fyzikální vlastnosti, grafen je proto připravován na tekutém substrátu pro zlepšení výsledné kvality. Práce řeší problematiku s provedením této reakce in-situ a se samotnou přípravou grafenu na tekutém zlatě.
Příprava grafenových vrstev pokrytých Ga atomy a charakterizace jejich elektrických vlastností
Piastek, Jakub ; Kromka, Alexander (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem charakterizace elektrických vlastností grafenových vrstev pokrytých Ga atomy. Substráty s elektrickými kontakty byly připraveny laserovou litografií a grafenová vrstva byla připravena pomocí metody chemické depozice z plynné fáze (CVD). Experimentálně byla zkoumán posuv Diracova bodu v závislosti na době depozice atomů galia na povrch grafenu. Byl také zkoumán vliv depozice atomárního vodíku na povrch grafenu. Výsledky měření a jejich zhodnocení jsou diskutovány v této práci.
Příprava grafenových vzorků pro experimenty v UHV podmínkách
Mareček, David ; Mach, Jindřich (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce pojednává o elektrické vodivosti grafenu a přípravě grafenového polem řízeného tranzistoru. Teoretická část popisuje elektrické vlastnosti grafenu, jeho přípravu pomocí metody CVD a přenos na SiO_2. Experimentální část této práce se zabývá přípravou grafenového polem řízeného tranzistoru s velkou vzdáleností elektrod. Kapitola se věnuje návrhu držáku vzorku a přivedením kontaktů v UHV podmínkách. Poslední část popisuje naměření závislosti vodivosti grafenové vrstvy na hradlovém napětí se zřetelem na polohu Diracova bodu při úpravě vzorku v UHV podmínkách.
Vliv elektronového svazku na grafenové polem řízené tranzistory
Mareček, David ; Čech,, Vladimír (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se věnuje elektrické vodivosti grafenu, přípravě grafenového polem řízeného tranzistoru a jeho ozařování elektronovým svazkem. Teoretická část popisuje elektrické vlastnosti grafenu, jeho přípravu pomocí metody CVD a přenos na křemíkový substrát s vrstvou SiO_2. Experimentální část této práce se zabývá přípravou grafenového polem řízeného tranzistoru pro použití v UHV podmínkách. Dále popisuje skenování elektronového svazku přes vyrobený tranzistor a tvorbu proudových map tranzistoru. V poslední části se věnuje vlivu elektronového svazku na transportní vlastnosti grafenové vrstvy a dotování grafenové vrstvy, indukované elektronovým svazkem.
Characterization of VTR-7000 deposition furnace
Petrová, Lenka ; Ulrych, Jan (oponent) ; Semiconductor, Vlastimil Hanáček, ON (vedoucí práce)
This bachelor’s thesis deals with the problem of adjusting of a CVD (chemical vapor deposition) reactor for operations in a given plant. The problem is that precise machines such as a CVD reactor have to be adjusted for function in the place, where they will be operated. This can be done by using statistical tools such as the DOE (design of experiment). There is a range of inputs that can affect the results of the deposition process. From these some will have to be selected as constants and some will become variables in the DOE. The target of this project is to introduce the reader to the topic of CVD, then, from previous DOE done on such machine in the COM1, design an experiment to adjust the machine in CZ4 WFAB for production, evaluate the acquired data and obtain the ideal setting for the reactor. The reader will be indirectly introduced also to DMAIC process since the DMAIC was used to evaluate the actual experiment in ON Semiconductor, Rožnov pod Radhoštěm, CZ4 WFAB.
Příprava a charakterizace plazmonických grafenových-měděných nanostruktur
Robešová, Magdaléna ; Pavelec,, Jiří (oponent) ; Dvořák, Petr (vedoucí práce)
Tato diplomová práce je věnována studiu a přípravě grafenových-měděných nanostruktur, které představují novou cestu ve výzkumu plazmonických metapovrchů. Toto spojení mědi s unikátními vlastnostmi grafenu by mohlo přinést pokrok ve snaze o vytvoření spolehlivých měděných plazmonických nanostruktur. Společně s rešeršní studií dosavadních vědeckých pokroků na tomto poli byla provedena příprava těchto nanostruktur metodou fokusovaného iontového svazku (FIB) a chemickou depozicí z plynné fáze (CVD). Následně byla zkoumána kvalita výrobního postupu a provedena optická charakterizace.

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 31 záznamů.   1 - 10dalšíkonec  přejít na záznam:
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.